Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Tác giả chính:	Wegele, Tatjana
Tác giả khác:	Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Cố vấn luận án)
Định dạng:	Dissertation
Ngôn ngữ:	Tiếng Anh
Được phát hành:	Philipps-Universität Marburg 2016
Những chủ đề:	high-resolution STEM laser on Si Physik hochauflösende STEM interface morphology Grenzflächenmorphologie Laser auf Si Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop Halbleiterlaser Ga(NAsP) compositional fluctuation Zusammensetzungsfluktuation Physics
Truy cập trực tuyến:	Bài toàn văn PDF
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!