Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Бүрэн тодорхойлолт

Номзүйн дэлгэрэнгүй

Үндсэн зохиолч:	Wegele, Tatjana
Бусад зохиолчид:	Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Дипломын ажлын зөвлөх)
Формат:	Dissertation
Хэл сонгох:	англи
Хэвлэсэн:	Philipps-Universität Marburg 2016
Нөхцлүүд:	high-resolution STEM laser on Si Physik hochauflösende STEM interface morphology Grenzflächenmorphologie Laser auf Si Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop Halbleiterlaser Ga(NAsP) compositional fluctuation Zusammensetzungsfluktuation Physics
Онлайн хандалт:	PDF-н бүрэн текст
Шошгууд:	Шошго нэмэх Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!