Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Wegele, Tatjana
Beteiligte:	Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format:	Dissertation
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2016
Schlagworte:	high-resolution STEM laser on Si Physik hochauflösende STEM interface morphology Grenzflächenmorphologie Laser auf Si Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop Halbleiterlaser Ga(NAsP) compositional fluctuation Zusammensetzungsfluktuation Physics
Online-Zugang:	PDF-Volltext
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