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Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Päätekijä: Wegele, Tatjana
Muut tekijät: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Aineistotyyppi: Dissertation
Kieli:englanti
Julkaistu: Philipps-Universität Marburg 2016
Aiheet:
high-resolution STEM
laser on Si
Physik
hochauflösende STEM
interface morphology
Grenzflächenmorphologie
Laser auf Si
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Halbleiterlaser
Ga(NAsP)
compositional fluctuation
Zusammensetzungsfluktuation
Physics
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Hyllypaikka: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04897
Julkaisupäivä: 2016-09-01
Datum der Annahme: 2016-06-24
Downloads: 20 (2025), 180 (2024), 107 (2023), 94 (2022), 220 (2021), 111 (2020), 74 (2019), 28 (2018)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
Linkki aineistoon: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0489
https://doi.org/10.17192/z2016.0489

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