Obálka

Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Celý popis

Uloženo v:
Hlavní autor: Wegele, Tatjana
Další autoři: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Vedoucí práce)
Médium: Dissertation
Jazyk:angličtina
Vydáno: Philipps-Universität Marburg 2016
Témata:
high-resolution STEM
laser on Si
Physik
hochauflösende STEM
interface morphology
Grenzflächenmorphologie
Laser auf Si
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Halbleiterlaser
Ga(NAsP)
compositional fluctuation
Zusammensetzungsfluktuation
Physics
On-line přístup:Plný text ve formátu PDF
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Internet

Plný text ve formátu PDF

Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04897
Datum vydání: 2016-09-01
Datum der Annahme: 2016-06-24
Downloads: 20 (2025), 180 (2024), 107 (2023), 94 (2022), 220 (2021), 111 (2020), 74 (2019), 28 (2018)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
Přístupová URL adresa: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0489
https://doi.org/10.17192/z2016.0489

Podobné jednotky