0500 Oau
1100 2016
2050 ##0##urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04897
2051 ##0##10.17192/z2016.0489
3000 Wegele, Tatjana
4000 Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy
4085 ##0##=s MB=u https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0489=x H
5050 |530
5584 Physik
5584 Ga(NAsP)
5584 hochauflösende STEM
5584 laser on Si
5584 Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
5584 Halbleiterlaser
5584 compositional fluctuation
5584 Laser auf Si
5584 Grenzflächenmorphologie
5584 interface morphology
5584 Zusammensetzungsfluktuation
5584 high-resolution STEM
5584 Ga(NAsP)
opus:6875