Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Wegele, Tatjana
Contributors: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Philipps-Universität Marburg 2016
Subjects:
Online Access:PDF Full Text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!