Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Full beskrivning

Bibliografiska uppgifter

Huvudskapare:	Wegele, Tatjana
Övriga skapare:	Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materialtyp:	Dissertation
Språk:	engelska
Publicerad:	Philipps-Universität Marburg 2016
Ämnen:	high-resolution STEM laser on Si Physik hochauflösende STEM interface morphology Grenzflächenmorphologie Laser auf Si Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop Halbleiterlaser Ga(NAsP) compositional fluctuation Zusammensetzungsfluktuation Physics
Länkar:	PDF-fulltext
Taggar:	Lägg till en tagg Inga taggar, Lägg till första taggen!