Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

Full beskrivning

Bibliografiska uppgifter

Huvudskapare:	Karcher, Christian
Övriga skapare:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materialtyp:	Dissertation
Språk:	tyska
Publicerad:	Philipps-Universität Marburg 2011
Ämnen:	Donator <Halbleiterphysik> Donor Semiconductor physics Physik Isoelektronische Störstelle Störstellenverteilung Störstellenniveau Band gap Akzeptor <Halbleiterphysik> Bandbiegung Impurity state Isoelectronic impurity Impurity distribution Halbleiterphysik Acceptor Physics
Länkar:	PDF-fulltext
Taggar:	Lägg till en tagg Inga taggar, Lägg till första taggen!