Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

पूर्ण विवरण

में बचाया:
ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखक: Karcher, Christian
अन्य लेखक: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (शोध सलाहकार)
स्वरूप: Dissertation
भाषा:जर्मन
प्रकाशित: Philipps-Universität Marburg 2011
विषय:
ऑनलाइन पहुंच:पीडीएफ पूर्ण पाठ
टैग: टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!

इंटरनेट

पीडीएफ पूर्ण पाठ

होल्डिंग्स विवरण से
बोधानक: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-01266
प्रकाशन तिथि: 2012-05-18
Datum der Annahme: 2012-03-16
Downloads: 57 (2025), 277 (2024), 220 (2023), 108 (2022), 125 (2021), 125 (2020), 60 (2019), 52 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
यूआरएल में प्रवेश करें: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0126
https://doi.org/10.17192/z2012.0126