Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
में बचाया:
मुख्य लेखक: | |
---|---|
अन्य लेखक: | |
स्वरूप: | Dissertation |
भाषा: | जर्मन |
प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2011
|
विषय: | |
ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
टैग: |
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
इंटरनेट
पीडीएफ पूर्ण पाठबोधानक: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2012-01266 |
---|---|
प्रकाशन तिथि: |
2012-05-18 |
Datum der Annahme: |
2012-03-16 |
Downloads: |
57 (2025), 277 (2024), 220 (2023), 108 (2022), 125 (2021), 125 (2020), 60 (2019), 52 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
यूआरएल में प्रवेश करें: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0126 https://doi.org/10.17192/z2012.0126 |