Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | |
বিন্যাস: | Dissertation |
ভাষা: | German |
প্রকাশিত: |
Philipps-Universität Marburg
2011
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
আন্তর্জাল
পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠডাক সংখ্যা: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2012-01266 |
---|---|
প্রকাশনার তারিখ: |
2012-05-18 |
Datum der Annahme: |
2012-03-16 |
Downloads: |
130 (2024), 220 (2023), 108 (2022), 125 (2021), 125 (2020), 60 (2019), 52 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
URL ব্যবহার করুন: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0126 https://doi.org/10.17192/z2012.0126 |