Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

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Main Author: Karcher, Christian
Contributors: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2011
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Call Number: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-01266
Publication Date: 2012-05-18
Date of Acceptance: 2012-03-16
Downloads: 27 (2025), 277 (2024), 220 (2023), 108 (2022), 125 (2021), 125 (2020), 60 (2019), 52 (2018)
License: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Access URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0126
https://doi.org/10.17192/z2012.0126