Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
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Contributors: | |
Format: | Doctoral Thesis |
Language: | German |
Published: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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Subjects: | |
Online Access: | PDF Full Text |
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Internet
PDF Full TextCall Number: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2012-01266 |
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Publication Date: |
2012-05-18 |
Date of Acceptance: |
2012-03-16 |
Downloads: |
27 (2025), 277 (2024), 220 (2023), 108 (2022), 125 (2021), 125 (2020), 60 (2019), 52 (2018) |
License: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Access URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0126 https://doi.org/10.17192/z2012.0126 |