Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

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Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Karcher, Christian
Beteiligte: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2011
Schlagworte:
Donator <Halbleiterphysik>
Acceptor
Physik
Semiconductor physics
Donor
Isoelektronische Störstelle
Störstellenverteilung
Störstellenniveau
Impurity state
Bandbiegung
Akzeptor <Halbleiterphysik>
Impurity distribution
Isoelectronic impurity
Halbleiterphysik
Band gap
Physics
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Signatur: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-01266
Publikationsdatum: 2012-05-18
Datum der Annahme: 2012-03-16
Downloads: 116 (2024), 220 (2023), 108 (2022), 125 (2021), 125 (2020), 60 (2019), 52 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0126
https://doi.org/10.17192/z2012.0126

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