Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Karcher, Christian
Beteiligte:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format:	Dissertation
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2011
Schlagworte:	Donator <Halbleiterphysik> Donor Semiconductor physics Physik Isoelektronische Störstelle Störstellenverteilung Störstellenniveau Band gap Akzeptor <Halbleiterphysik> Bandbiegung Impurity state Isoelectronic impurity Impurity distribution Halbleiterphysik Acceptor Physics
Online-Zugang:	PDF-Volltext
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