Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

Disgrifiad llawn

Manylion Llyfryddiaeth

Prif Awdur:	Karcher, Christian
Awduron Eraill:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Cynghorydd traethodau ymchwil)
Fformat:	Dissertation
Iaith:	Almaeneg
Cyhoeddwyd:	Philipps-Universität Marburg 2011
Pynciau:	Donator <Halbleiterphysik> Donor Semiconductor physics Physik Isoelektronische Störstelle Störstellenverteilung Störstellenniveau Band gap Akzeptor <Halbleiterphysik> Bandbiegung Impurity state Isoelectronic impurity Impurity distribution Halbleiterphysik Acceptor Physics
Mynediad Ar-lein:	Testun PDF llawn
Tagiau:	Ychwanegu Tag Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!