Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

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Bibliographic Details

Main Author:	Karcher, Christian
Contributors:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format:	Doctoral Thesis
Language:	German
Published:	Philipps-Universität Marburg 2011
Subjects:	Donator <Halbleiterphysik> Physik Impurity state Semiconductor physics Bandbiegung Isoelektronische Störstelle Störstellenverteilung Störstellenniveau Isoelectronic impurity Akzeptor <Halbleiterphysik> Band gap Acceptor Impurity distribution Halbleiterphysik Donor Physics
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