Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

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主要作者:	Wegele, Tatjana
其他作者:	Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
格式:	Dissertation
语言:	英语
出版:	Philipps-Universität Marburg 2016
主题:	high-resolution STEM laser on Si Physik hochauflösende STEM interface morphology Grenzflächenmorphologie Laser auf Si Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop Halbleiterlaser Ga(NAsP) compositional fluctuation Zusammensetzungsfluktuation Physics
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