Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

מחבר ראשי:	Lehr, Jannik
מחברים אחרים:	Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט:	Dissertation
שפה:	אנגלית
יצא לאור:	Philipps-Universität Marburg 2022
נושאים:	MOCVD MOVPE Halbleiterlaser Typ-II Heterostrukturen Nahinfrarot-Laser Epitaxie Physik Semiconductor lasers Near-infrared laser Physics Epitaxy Type-II Heterostructures Physik Physics
גישה מקוונת:	PDF-Volltext
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!