Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلف الرئيسي:	Lehr, Jannik
مؤلفون آخرون:	Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (مرشد الأطروحة)
التنسيق:	Dissertation
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	Philipps-Universität Marburg 2022
الموضوعات:	MOCVD MOVPE Halbleiterlaser Typ-II Heterostrukturen Nahinfrarot-Laser Epitaxie Physik Semiconductor lasers Near-infrared laser Physics Epitaxy Type-II Heterostructures Physik Physics
الوصول للمادة أونلاين:	PDF النص الكامل
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!