Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

1. autor:	Stegmüller, Andreas
Kolejni autorzy:	Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format:	Dissertation
Język:	angielski
Wydane:	Philipps-Universität Marburg 2015
Hasła przedmiotowe:	Quantenchemie, Halbleiter density functional theory Dichtefunktionalformalismus semiconductors Chemie, Epitaxie reaction mechanism simulation epitaxy functionalization Chemie Chemistry & allied sciences
Dostęp online:	PDF pełnotekstowe
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!