Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

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Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Κύριος συγγραφέας:	Karcher, Christian
Άλλοι συγγραφείς:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Εισηγητής διατριβής)
Μορφή:	Dissertation
Γλώσσα:	Γερμανικά
Έκδοση:	Philipps-Universität Marburg 2011
Θέματα:	Donator <Halbleiterphysik> Donor Semiconductor physics Physik Isoelektronische Störstelle Störstellenverteilung Störstellenniveau Band gap Akzeptor <Halbleiterphysik> Bandbiegung Impurity state Isoelectronic impurity Impurity distribution Halbleiterphysik Acceptor Physics
Διαθέσιμο Online:	Πλήρες κείμενο PDF
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