Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակ:	Karcher, Christian
Այլ հեղինակներ:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ:	Dissertation
Լեզու:	գերմաներեն
Հրապարակվել է:	Philipps-Universität Marburg 2011
Խորագրեր:	Donator <Halbleiterphysik> Donor Semiconductor physics Physik Isoelektronische Störstelle Störstellenverteilung Störstellenniveau Band gap Akzeptor <Halbleiterphysik> Bandbiegung Impurity state Isoelectronic impurity Impurity distribution Halbleiterphysik Acceptor Physics
Առցանց հասանելիություն:	PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!