Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակ:	Fuchs, Christian
Այլ հեղինակներ:	Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ:	Dissertation
Լեզու:	անգլերեն
Հրապարակվել է:	Philipps-Universität Marburg 2017
Խորագրեր:	VECSEL III/V Halbleiter MOCVD Physics MOVPE III/V Semiconductors Near-infrared Laser Physik Edge Emitter Nahinfrarot-Laser Epitaxie Typ-II Heterostrukturen Epitaxy Kantenemitter Type-II Heterostructures
Առցանց հասանելիություն:	PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!