Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Fuchs, Christian
Beteiligte:	Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format:	Dissertation
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2017
Schlagworte:	VECSEL III/V Halbleiter MOCVD Physics MOVPE III/V Semiconductors Near-infrared Laser Physik Edge Emitter Nahinfrarot-Laser Epitaxie Typ-II Heterostrukturen Epitaxy Kantenemitter Type-II Heterostructures
Online-Zugang:	PDF-Volltext
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