Structural characterization of antimonide-based metamorphic buffer layers on (001) silicon substrate

The aim of the present study was the growth of antimony-based buffer layers with the lattice constant of InP on a GaP/Si pseudosubstrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and their structural investigation by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and (scanning) transmiss...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Ott, Andrea
Beteiligte:	Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format:	Dissertation
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2017
Schlagworte:	Halbleiter Ga(PSb) Lomer Versetzungen semiconductor Elektronenmikroskopie metamorphic growth Verspannung Metamorphes Wachstum Physik, Ga(AsSb) GaSb electron microscopy Physik Lomer dislocations,strain Physics
Online-Zugang:	PDF-Volltext
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