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Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Oberhoff, Stefan
Beteiligte: Stolz, Wolfgang (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2007
Schlagworte:
Physik
Atomic force microscopy (AFM)
Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c
Ga(NAsP)
Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter
(GaIn)(NAs)
(GaIn)(NAsSb)
Innere Grenzflächen
Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films
Grenzflächenaktiver Stoff
Selektives Ätzen
III-V semiconductors
Dilute nitride compound semiconductors
Heterostruktur
Semiconductor lasers; laser diodes
Halbleitergrenzfläche
Interior interfaces
Metastabilität
Halbleiter
Drei-Fünf-Halbleiter
Physics
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