Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

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Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Torunski, Torsten
Beteiligte: Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2005
Schlagworte:
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
(GaIn)(NAs)
Inhomogeneous strain fields
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen
Refined structure factor calculations
Metastabilität
Inhomogene Verspannungsfelder
Drei-Fünf-Halbleiter
Physik
TEM
Physics
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Signatur: urn:nbn:de:hebis:04-z2005-05104
Publikationsdatum: 2005-11-22
Datum der Annahme: 2005-07-25
Downloads: 76 (2024), 172 (2023), 138 (2022), 278 (2021), 242 (2020), 396 (2019), 198 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0510
https://doi.org/10.17192/z2005.0510

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