Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Torunski, Torsten
Beteiligte:	Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format:	Dissertation
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2005
Schlagworte:	Inhomogene Verspannungsfelder Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall TEM (GaIn)(NAs) Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen Durchstrahlungselektronenmikroskopie Metastabilität Drei-Fünf-Halbleiter Refined structure factor calculations Physik Inhomogeneous strain fields Physics
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