Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen

Պահպանված է:

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ:	Will, Stephan
Ձևաչափ:	Dissertation
Լեզու:	գերմաներեն
Հրապարակվել է:	Philipps-Universität Marburg 2004
Խորագրեր:	Dünne Schicht , PECVD-Verfahren Armorpher Halbleiter , Wasserstoff Physik Silicium Physics
Առցանց հասանելիություն:	PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

No citations were found for this record.

Նմանատիպ նյութեր