Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Will, Stephan
Format:	Dissertation
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2004
Schlagworte:	Dünne Schicht , PECVD-Verfahren Armorpher Halbleiter , Wasserstoff Physik Silicium Physics
Online Zugang:	PDF-Volltext
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Beschreibung
Umfang:	115 Seiten
DOI:	10.17192/z1998.0001

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