Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Lehr, Jannik
Tác giả khác: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Cố vấn luận án)
Định dạng: Dissertation
Ngôn ngữ:Tiếng Anh
Được phát hành: Philipps-Universität Marburg 2022
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:Bài toàn văn PDF
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Internet

Bài toàn văn PDF

Chi tiết quỹ từ
Số hiệu: urn:nbn:de:hebis:04-z2022-01098
Ngày xuất bản: 2022-05-05
Datum der Annahme: 2022-03-21
Downloads: 49 (2024), 92 (2023), 44 (2022)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Địa chỉ truy cập: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2022/0109
https://doi.org/10.17192/z2022.0109