Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications
In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...
Збережено в:
Автор: | |
---|---|
Інші автори: | |
Формат: | Dissertation |
Мова: | англійська |
Опубліковано: |
Philipps-Universität Marburg
2022
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | PDF-повний текст |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Інтернет
PDF-повний текстШифр: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2022-01098 |
---|---|
Дата публікації: |
2022-05-05 |
Datum der Annahme: |
2022-03-21 |
Downloads: |
49 (2024), 92 (2023), 44 (2022) |
Lizenz: |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
Доступ через URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2022/0109 https://doi.org/10.17192/z2022.0109 |