Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Lehr, Jannik
Այլ հեղինակներ: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2022
Խորագրեր:
MOCVD MOVPE Halbleiterlaser Typ-II Heterostrukturen Nahinfrarot-Laser Epitaxie Physik
Physik
Semiconductor lasers Near-infrared laser Physics Epitaxy Type-II Heterostructures
Physics
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

PDF ամբողջական տեքստ

Պահումների մանրամասները
Դասիչ: urn:nbn:de:hebis:04-z2022-01098
Հրապարակման ամսաթիվ: 2022-05-05
Datum der Annahme: 2022-03-21
Downloads: 49 (2024), 92 (2023), 44 (2022)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Հասանելի URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2022/0109
https://doi.org/10.17192/z2022.0109

Նմանատիպ նյութեր