Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Lehr, Jannik
Další autoři: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Vedoucí práce)
Médium: Dissertation
Jazyk:angličtina
Vydáno: Philipps-Universität Marburg 2022
Témata:
MOCVD MOVPE Halbleiterlaser Typ-II Heterostrukturen Nahinfrarot-Laser Epitaxie Physik
Physik
Semiconductor lasers Near-infrared laser Physics Epitaxy Type-II Heterostructures
Physics
On-line přístup:Plný text ve formátu PDF
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Internet

Plný text ve formátu PDF

Informace o exemplářích z:
Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2022-01098
Datum vydání: 2022-05-05
Datum der Annahme: 2022-03-21
Downloads: 49 (2024), 92 (2023), 44 (2022)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Přístupová URL adresa: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2022/0109
https://doi.org/10.17192/z2022.0109

Podobné jednotky