Analysis of Strain Relaxation, Ion Beam Damage and Instrument Imperfections for Quantitative STEM Characterizations

Analysis of Strain Relaxation, Ion Beam Damage and Instrument Imperfections for Quantitative STEM Characterizations

It is illustrated that the preparation of thin specimens from bulk materials can have significant influence on the interpretability of (S)TEM data. The results of the presented measurements show that and the elastic strain relaxation in low dimensional structures alters the overall strain state of t...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Belz, Jürgen
מחברים אחרים: Volz, Kerstin ( Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:אנגלית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2019
נושאים:
Methode
Tetragonal Distortion
Tetragonale Verspannung
Imperfektionen
Verspannung
Physik
Aberrationen
Strain Relaxation
Ionenstrahlschaden
Ion Beam Damage
Imperfections
Aberrations
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Verspannungsrelaxation
Strain
Durchstrahlungselektronenmikroskop
Elektronenmikroskop
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

אינטרנט

PDF-Volltext

פרטי מלאי ספרים מ
סימן המיקום: urn:nbn:de:hebis:04-z2020-04870
Publikationsdatum: 2020-10-14
Datum der Annahme: 2019-10-14
Downloads: 122 (2024), 131 (2023), 82 (2022), 43 (2021), 8 (2020)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2020/0487
https://doi.org/10.17192/z2020.0487

פריטים דומים