Publikationsserver
Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers
Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Dissertation |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Được phát hành: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | Bài toàn văn PDF |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Internet
Bài toàn văn PDF| Số hiệu: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055 |
|---|---|
| Ngày xuất bản: |
2018-11-14 |
| Datum der Annahme: |
2017-12-12 |
| Downloads: |
58 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| Địa chỉ truy cập: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505 https://doi.org/10.17192/z2018.0505 |