Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers
Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...
Збережено в:
Автор: | |
---|---|
Інші автори: | |
Формат: | Dissertation |
Мова: | англійська |
Опубліковано: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | PDF-повний текст |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Інтернет
PDF-повний текстШифр: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055 |
---|---|
Дата публікації: |
2018-11-14 |
Datum der Annahme: |
2017-12-12 |
Downloads: |
58 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Доступ через URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505 https://doi.org/10.17192/z2018.0505 |