Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Fuchs, Christian
Kolejni autorzy: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format: Dissertation
Język:angielski
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2017
Hasła przedmiotowe:
III/V Halbleiter
MOVPE
VECSEL
Near-infrared Laser
Physik
MOCVD
Edge Emitter
Nahinfrarot-Laser
Epitaxy
Type-II Heterostructures
Epitaxie
Typ-II Heterostrukturen
III/V Semiconductors
Kantenemitter
Physics
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Internet

PDF pełnotekstowe

Szczegóły zapisu
Sygnatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055
Data wydania: 2018-11-14
Datum der Annahme: 2017-12-12
Downloads: 58 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL dostępu: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505
https://doi.org/10.17192/z2018.0505

Podobne zapisy