Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

Бүрэн тодорхойлолт

-д хадгалсан:
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолч: Fuchs, Christian
Бусад зохиолчид: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Дипломын ажлын зөвлөх)
Формат: Dissertation
Хэл сонгох:англи
Хэвлэсэн: Philipps-Universität Marburg 2017
Нөхцлүүд:
III/V Halbleiter
MOVPE
VECSEL
Near-infrared Laser
Physik
MOCVD
Edge Emitter
Nahinfrarot-Laser
Epitaxy
Type-II Heterostructures
Epitaxie
Typ-II Heterostrukturen
III/V Semiconductors
Kantenemitter
Physics
Онлайн хандалт:PDF-н бүрэн текст
Шошгууд: Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!

Интернэт

PDF-н бүрэн текст

-с авсан түр хойшлуулсан зүйлсийн дэлгэрэнгүй мэдээлэл
Зохиогчийн тэмдэгт: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055
Хэвлэлийн огноо: 2018-11-14
Datum der Annahme: 2017-12-12
Downloads: 57 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Хандалтын URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505
https://doi.org/10.17192/z2018.0505

Ижил төстэй зүйлс