Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Fuchs, Christian
מחברים אחרים: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:אנגלית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2017
נושאים:
III/V Halbleiter
MOVPE
VECSEL
Near-infrared Laser
Physik
MOCVD
Edge Emitter
Nahinfrarot-Laser
Epitaxy
Type-II Heterostructures
Epitaxie
Typ-II Heterostrukturen
III/V Semiconductors
Kantenemitter
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

אינטרנט

PDF-Volltext

פרטי מלאי ספרים מ
סימן המיקום: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055
Publikationsdatum: 2018-11-14
Datum der Annahme: 2017-12-12
Downloads: 58 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505
https://doi.org/10.17192/z2018.0505

פריטים דומים