Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers
Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: | |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | |
Μορφή: | Dissertation |
Γλώσσα: | Αγγλικά |
Έκδοση: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Πλήρες κείμενο PDF |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Διαδίκτυο
Πλήρες κείμενο PDFΤαξινομικός Αριθμός: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055 |
---|---|
Ημερομηνία έκδοσης: |
2018-11-14 |
Datum der Annahme: |
2017-12-12 |
Downloads: |
57 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Σύνδεσμος πρόσβασης: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505 https://doi.org/10.17192/z2018.0505 |