Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Fuchs, Christian
Άλλοι συγγραφείς: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Εισηγητής διατριβής)
Μορφή: Dissertation
Γλώσσα:Αγγλικά
Έκδοση: Philipps-Universität Marburg 2017
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Πλήρες κείμενο PDF
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Διαδίκτυο

Πλήρες κείμενο PDF

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από
Ταξινομικός Αριθμός: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055
Ημερομηνία έκδοσης: 2018-11-14
Datum der Annahme: 2017-12-12
Downloads: 57 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505
https://doi.org/10.17192/z2018.0505