Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Fuchs, Christian
Další autoři: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Vedoucí práce)
Médium: Dissertation
Jazyk:angličtina
Vydáno: Philipps-Universität Marburg 2017
Témata:
III/V Halbleiter
MOVPE
VECSEL
Near-infrared Laser
Physik
MOCVD
Edge Emitter
Nahinfrarot-Laser
Epitaxy
Type-II Heterostructures
Epitaxie
Typ-II Heterostrukturen
III/V Semiconductors
Kantenemitter
Physics
On-line přístup:Plný text ve formátu PDF
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Internet

Plný text ve formátu PDF

Informace o exemplářích z:
Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055
Datum vydání: 2018-11-14
Datum der Annahme: 2017-12-12
Downloads: 58 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Přístupová URL adresa: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505
https://doi.org/10.17192/z2018.0505

Podobné jednotky