Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Fuchs, Christian
অন্যান্য লেখক: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
বিন্যাস: Dissertation
ভাষা:ইংরেজি
প্রকাশিত: Philipps-Universität Marburg 2017
বিষয়গুলি:
III/V Halbleiter
MOVPE
VECSEL
Near-infrared Laser
Physik
MOCVD
Edge Emitter
Nahinfrarot-Laser
Epitaxy
Type-II Heterostructures
Epitaxie
Typ-II Heterostrukturen
III/V Semiconductors
Kantenemitter
Physics
অনলাইন ব্যবহার করুন:পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

আন্তর্জাল

পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ

হোল্ডিংসের বিবরণ
ডাক সংখ্যা: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055
প্রকাশনার তারিখ: 2018-11-14
Datum der Annahme: 2017-12-12
Downloads: 57 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL ব্যবহার করুন: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505
https://doi.org/10.17192/z2018.0505

অনুরূপ উপাদানগুলি