Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers

Our current telecommunication is based on the optical transmission of data using semiconductor lasers, which are typically fabricated based on indium phosphide substrates. The layers of material in which the emitted light is generated are typically a few nanometers thick and are therefore referred t...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Fuchs, Christian
مؤلفون آخرون: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (مرشد الأطروحة)
التنسيق: Dissertation
اللغة:الإنجليزية
منشور في: Philipps-Universität Marburg 2017
الموضوعات:
III/V Halbleiter
MOVPE
VECSEL
Near-infrared Laser
Physik
MOCVD
Edge Emitter
Nahinfrarot-Laser
Epitaxy
Type-II Heterostructures
Epitaxie
Typ-II Heterostrukturen
III/V Semiconductors
Kantenemitter
Physics
الوصول للمادة أونلاين:PDF النص الكامل
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

PDF النص الكامل

تفاصيل المقتنيات من
رقم الاستدعاء: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-05055
تاريخ النشر: 2018-11-14
Datum der Annahme: 2017-12-12
Downloads: 58 (2024), 153 (2023), 206 (2022), 120 (2021), 111 (2020), 132 (2019), 4 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL الوصول: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0505
https://doi.org/10.17192/z2018.0505

مواد مشابهة