Publikationsserver
Structural characterization of antimonide-based metamorphic buffer layers on (001) silicon substrate
The aim of the present study was the growth of antimony-based buffer layers with the lattice constant of InP on a GaP/Si pseudosubstrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and their structural investigation by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and (scanning) transmiss...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | Dissertation |
| שפה: | אנגלית |
| יצא לאור: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | PDF-Volltext |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
No references were found for this record.