Structural characterization of antimonide-based metamorphic buffer layers on (001) silicon substrate
The aim of the present study was the growth of antimony-based buffer layers with the lattice constant of InP on a GaP/Si pseudosubstrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and their structural investigation by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and (scanning) transmiss...
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: | |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | |
Μορφή: | Dissertation |
Γλώσσα: | Αγγλικά |
Έκδοση: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Πλήρες κείμενο PDF |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
No references were found for this record.