Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Pomberg, Michael
Beteiligte:	Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format:	Dissertation
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2016
Schlagworte:	Bis(dichlorphenylsilyl)amin Silazane Thin-film Transistor Dielektrikum dielectric Ammonolyse Chemie silazane, Leckstrom Chemistry & allied sciences
Online-Zugang:	PDF-Volltext
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