Theoretical Modeling of Kinetic Phenomena of Atoms and Charge Carriers in Disordered Materials

Theoretical Modeling of Kinetic Phenomena of Atoms and Charge Carriers in Disordered Materials

This PhD thesis deals with the computer simulation of III/V semiconductor heteroepitaxy and the description of charge transport in disordered inorganic and organic semiconductors.

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Oelerich, Jan Oliver
מחברים אחרים: Baranovski, Sergei (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:אנגלית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2015
נושאים:
III-V semiconductors
Amorphous semiconductors, metallic glasses, glasses
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and
Festkörper
Ungeordnete Halbleiter
Amorphous semiconductors
Halbleiter
Disordered Semiconductors
Simulation
Physik
Heteroepitaxie
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!
צריך להיות מחובר מראש

פריטים דומים