Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Бүрэн тодорхойлолт

Номзүйн дэлгэрэнгүй

Үндсэн зохиолч:	Stegmüller, Andreas
Бусад зохиолчид:	Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (Дипломын ажлын зөвлөх)
Формат:	Dissertation
Хэл сонгох:	англи
Хэвлэсэн:	Philipps-Universität Marburg 2015
Нөхцлүүд:	Quantenchemie, Halbleiter density functional theory Dichtefunktionalformalismus semiconductors Chemie, Epitaxie reaction mechanism simulation epitaxy functionalization Chemie Chemistry & allied sciences
Онлайн хандалт:	PDF-н бүрэн текст
Шошгууд:	Шошго нэмэх Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!