Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zimprich, Martin

Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

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Detaylı Bibliyografya
Yazar:	Zimprich, Martin
Diğer Yazarlar:	Stolz, W. (Dr.) (Tez danışmanı)
Materyal Türü:	Dissertation
Dil:	Almanca
Baskı/Yayın Bilgisi:	Philipps-Universität Marburg 2013
Konular:	Durchstrahlungselektronenmikroskopie Ga(NAsP) Semiconductor lasers; laser diodes OEIC Röntgendiffraktometrie (BGa)P silicon photonics (BGa)(AsP) Photolumineszenz Laser , MOCVD-Verfahren integrierter Halbleiterlaser Tempern Physik Photolumineszenzspektroskopie Physics
Online Erişim:	PDF Tam Metin
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Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

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