Publikationsserver
Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Furkejuvvon:
| Váldodahkki: | |
|---|---|
| Eará dahkkit: | |
| Materiálatiipa: | Dissertation |
| Giella: | duiskkagiella |
| Almmustuhtton: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
| Fáttát: | |
| Liŋkkat: | PDF-ollesdeaksta |
| Fáddágilkorat: |
Lasit fáddágilkoriid
Eai fáddágilkorat, Lasit vuosttaš fáddágilkora!
|
Lasit vuosttaš kommeantta. Visot kommeanttat leat almmolaččat.!