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Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Bewaard in:
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| Formaat: | Dissertation |
| Taal: | Duits |
| Gepubliceerd in: |
Philipps-Universität Marburg
2013
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| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | PDF Full text |
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